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2N5550BU
0.02
2N5550BU 数据手册 (6 页)
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2N5550BU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
140 V
额定电流
600 mA
封装
TO-226-3
极性
NPN
功耗
0.625 W
击穿电压(集电极-发射极)
140 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
60 @10mA, 5V
最大电流放大倍数
250
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

2N5550BU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Bulk
高度
5.33 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2N5550BU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.31 MByte

2N5550 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管 Amplifier Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
晶体管放大器 Amplifier Transistor
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) 2N5550 TO-92 60-250
Central Semiconductor
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
NPN型高压晶体管 NPN high-voltage transistors
Motorola(摩托罗拉)
Diotec Semiconductor
Samsung(三星)
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