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2N5551RL1
0.04
2N5551RL1 数据手册 (6 页)
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2N5551RL1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
160 V
额定电流
600 mA
封装
TO-226-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
160 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
80 @10mA, 5V
额定功率(Max)
625 mW

2N5551RL1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N5551RL1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte

2N5551 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管 Amplifier Transistors
CJ(长电科技)
2N5551 铜脚 C档 200-300
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N5551  单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE
Diotec Semiconductor
Multicomp
MULTICOMP  2N5551  双极晶体管
先科ST(先科)
2N5551 袋装
ST Microelectronics(意法半导体)
2N5551 编带
Central Semiconductor
BJT NPN Gen Pur SS
UTC(友顺)
高压开关 晶体管
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