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IRF9Z30PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

VISHAY IRF9Z30PBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, P沟道, -18 A, -50 V, 0.093 ohm, -10 V, -4 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF9Z30PBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRF9Z30PBF 数据手册 (8 页)

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IRF9Z30PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.093 Ω

极性

P-Channel

功耗

74 W

漏源极电压(Vds)

-50.0 V

连续漏极电流(Ids)

-18.0 A

工作温度(Max)

150 ℃

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IRF9Z30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

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IRF9Z30PBF 符合标准

IRF9Z30PBF 海关信息

IRF9Z30PBF 数据手册

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8 页 / 0.12 MByte

IRF9Z30PBF 其他数据使用手册

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8 页 / 0.25 MByte

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