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2N5551ZL1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-226-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N5551ZL1 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

2N5551ZL1 数据手册 (6 页)

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2N5551ZL1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

160 V

额定电流

600 mA

封装

TO-226-3

极性

NPN

击穿电压(集电极-发射极)

160 V

集电极最大允许电流

0.6A

最小电流放大倍数

80 @10mA, 5V

额定功率(Max)

625 mW

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2N5551ZL1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Box (TB)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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2N5551ZL1 符合标准

2N5551ZL1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.08 MByte

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