￥ 0.293

NDT3055L 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

N沟道 60 V 0.1 Ohm 增强模式场效应晶体管 - SOT-223

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NDT3055L 数据手册 (5 页)

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NDT3055L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.07 Ω

功耗

3 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

7.5 ns

输入电容值(Ciss)

345pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

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NDT3055L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.56 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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NDT3055L 符合标准

NDT3055L 概述

NDT3055L 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.08 MByte

NDT3055L 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.64 MByte

NDT3055L 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.06 MByte

NDT3055L 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.54 MByte

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