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2N5884G
8.618
2N5884G 数据手册 (7 页)
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2N5884G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
4 MHz
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-25.0 A
封装
TO-204-2
针脚数
2 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
200 W
增益频宽积
4 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
热阻
0.875℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
25A
最小电流放大倍数
20
最大电流放大倍数
100
额定功率(Max)
200 W
直流电流增益(hFE)
4
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200000 mW

2N5884G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
材质
Silicon
长度
39.37 mm
宽度
26.67 mm
高度
8.51 mm
工作温度
-65℃ ~ 200℃

2N5884G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.01 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

2N5884 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补硅大功率晶体管 Complementary Silicon High−Power Transistors
Microsemi(美高森美)
Multicomp
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互补硅大功率管 COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
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