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2N6517CBU
0.071
2N6517CBU 数据手册 (6 页)
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2N6517CBU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
350 V
额定电流
500 mA
封装
TO-226-3
极性
NPN
功耗
625 mW
增益频宽积
200 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
350 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
30
最大电流放大倍数
200
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

2N6517CBU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
长度
4.58 mm
宽度
3.86 mm
高度
4.58 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2N6517CBU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.17 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.26 MByte

2N6517 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高电压晶体管 High Voltage Transistors
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) 2N6517 TO-92 30-200
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Central Semiconductor
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
Motorola(摩托罗拉)
Micro Commercial Components(美微科)
Diodes(美台)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Continental Device
Vishay Semiconductor(威世)
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