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2N6667 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

达林顿硅功率晶体管 Darlington Silicon Power Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N6667 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

原理图在1 页

2N6667 数据手册 (6 页)

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2N6667 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-10.0 A

封装

TO-220-3

极性

PNP

功耗

2000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

集电极最大允许电流

10A

最小电流放大倍数

1000 @5A, 3V

最大电流放大倍数

20000

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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2N6667 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

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2N6667 符合标准

2N6667 海关信息

2N6667 概述

2N6667 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.1 MByte

2N6667 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.07 MByte

2N6667 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.02 MByte

2N6667 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.11 MByte

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