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BSZ100N06LS3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON

描述:

INFINEON BSZ100N06LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSZ100N06LS3GATMA1 数据手册 (9 页)

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BSZ100N06LS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TSDSON

额定功率

50 W

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.008 Ω

极性

N-Channel

功耗

50 W

阈值电压

1.7 V

输入电容

2600 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

58 ns

输入电容值(Ciss)

2600pF @30V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.1 W

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BSZ100N06LS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

宽度

3.3 mm

高度

1.1 mm

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BSZ100N06LS3GATMA1 符合标准

BSZ100N06LS3GATMA1 概述

BSZ100N06LS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.45 MByte

BSZ100N06LS3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.19 MByte

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INFINEON BSZ100N06LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 1.7 V

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