2N6796

￥ 8.713

2N6796 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-205

描述:

INFINEON 2N6796 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 100 V, 180 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N6796 数据手册 (7 页)

2N6796 数据手册 (7 页)

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2N6796 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-205

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.18 Ω

功耗

25 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

75 ns

下降时间

45 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25000 mW

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2N6796 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

2N6796 符合标准

2N6796 数据手册

2N6796 数据手册

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.19 MByte

2N6796 产品手册

Infineon（英飞凌）

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