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NTR3A30PZT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTR3A30PZT1G MOSFET Transistor, P Channel, -3 A, -20 V, 0.031 ohm, -4.5 V, -650 mV 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NTR3A30PZT1G 数据手册 (6 页)

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NTR3A30PZT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.031 Ω

极性

P-Channel

功耗

480 mW

阈值电压

650 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

2.9A

上升时间

208 ns

输入电容值(Ciss)

1651pF @15V(Vds)

下降时间

552 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

480mW (Ta)

NTR3A30PZT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTR3A30PZT1G 符合标准