Datasheet 搜索 > National Semiconductor（美国国家半导体） > 2N7000 数据手册 > 2N7000 数据手册 3/4 页
￥ 0
2N7000 数据手册 - National Semiconductor（美国国家半导体）
制造商:
National Semiconductor（美国国家半导体）
描述:
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
页面导航:
导航目录
2N7000数据手册
Page:
of 4 Go
若手册格式错乱，请下载阅览PDF原文件
2N7000G
http://onsemi.com
3
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
r
DS(on)
, STATIC DRAIN-SOURCE ON-RESISTANCE
(NORMALIZED)
V
GS(th)
, THRESHOLD VOLTAGE (NORMALIZED)
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0
V
DS
, DRAIN SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Ohmic Region
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0
V
GS
, GATE SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
-60 -20 +20 +60 +100 +140 -60 -20 +20 +60 +100 +140
T, TEMPERATURE (°C)
Figure 3. Temperature versus Static
Drain−Source On−Resistance
T, TEMPERATURE (°C)
Figure 4. Temperature versus Gate
Threshold Voltage
T
A
= 25°C
V
GS
= 10 V
9 V
8 V
7 V
6 V
4 V
3 V
5 V
V
DS
= 10 V
-55°C
25°C
125°C
V
GS
= 10 V
I
D
= 200 mA
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0 mA
器件 Datasheet 文档搜索
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
