器件3D模型

￥ 0.195

2N7002BKS,115 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

晶体管

封装:

SC-70-6

描述:

2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 300 mA TrenchMOS FET - SC-88

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N7002BKS,115 数据手册 (17 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在12 页

2N7002BKS,115 数据手册 (17 页)

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2N7002BKS,115 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SC-70-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

1 Ω

功耗

0.34 W

阈值电压

1.6 V

输入电容

33 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

50pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

295 mW

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

445 mW

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2N7002BKS,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.35 mm

高度

1.1 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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2N7002BKS,115 符合标准

2N7002BKS,115 概述

2N7002BKS,115 数据手册

Nexperia（安世）

17 页 / 0.46 MByte

2N7002BKS,115 其他数据使用手册

Nexperia（安世）

206 页 / 0.21 MByte

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Fairchild（飞兆/仙童）

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CJ（长电科技）

N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V

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ON Semiconductor（安森美）

2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道增强模式场效应晶体管 SOT-23

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ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS 2N7002 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 60 V, 1.8 ohm, 10 V, 2.1 V

2N7002 数据手册

NXP（恩智浦）

2N7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 12W 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关

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SLKOR（韩国萨科微）

2N7002 60V0.115A 编带

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NTE Electronics

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Diotec Semiconductor

N沟道 60V 280A

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Panjit（强茂）

2n7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 S72 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关

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Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色封装（无铅）超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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