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2N7002DWH6327
0.064
2N7002DWH6327 数据手册 (9 页)
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2N7002DWH6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-363-6
极性
Dual N-Channel
输入电容值(Ciss)
13pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

2N7002DWH6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.8 mm

2N7002DWH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.18 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.19 MByte

2N7002 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
CJ(长电科技)
N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
ON Semiconductor(安森美)
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  2N7002  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 60 V, 1.8 ohm, 10 V, 2.1 V
NXP(恩智浦)
2N7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 12W 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关
SLKOR(韩国萨科微)
2N7002 60V0.115A 编带
NTE Electronics
Diotec Semiconductor
N沟道 60V 280A
Panjit(强茂)
2n7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 S72 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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