￥ 0.278

IPN60R2K1CEATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

中高压MOS管

封装:

SOT-223-3

描述:

INFINEON IPN60R2K1CEATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 600 V, 1.89 ohm, 10 V, 3 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPN60R2K1CEATMA1 数据手册 (13 页)

IPN60R2K1CEATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-223-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.89 Ω

极性

N-Channel

功耗

5 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

3.7A

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

140pF @100V(Vds)

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

5W (Tc)

查看数据手册 >

IPN60R2K1CEATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IPN60R2K1CEATMA1 符合标准

IPN60R2K1CEATMA1 海关信息

IPN60R2K1CEATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 1.02 MByte

IPN60R2K1CEATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPN60R2K1CEATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

51 页 / 2.6 MByte

IPN60R2K1CEATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPN60R2K1CEATMA1 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.22 MByte

IPN60R2K1 数据手册

IPN60R2K1CEATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPN60R2K1CEATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 600 V, 1.89 ohm, 10 V, 3 V 新

IPN60R2K1CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

600V,3.7A,2.1Ω,N沟道功率MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号