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2N7002DW H6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363-6

描述:

INFINEON 2N7002DW H6327 场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 60V, 0.3A, SOT-363-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N7002DW H6327 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

2N7002DW H6327 数据手册 (9 页)

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2N7002DW H6327 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363-6

通道数

2 Channel

功耗

0.5 W

阈值电压

2.1 V

上升时间

3.3 ns

输入电容值(Ciss)

13pF @25V(Vds)

下降时间

3.1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

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2N7002DW H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.00 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.90 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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2N7002DW H6327 符合标准

2N7002DW H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.43 MByte

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2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道增强模式场效应晶体管 SOT-23

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ST Microelectronics（意法半导体）

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NXP（恩智浦）

2N7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 12W 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关

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2N7002 60V0.115A 编带

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N沟道 60V 280A

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Panjit（强茂）

2n7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 S72 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关

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Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色封装（无铅）超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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