￥ 18.565

IXTN36N50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXTN36N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTN36N50 数据手册 (4 页)

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IXTN36N50 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

3 Pin

封装

SOT-227-4

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.12 Ω

极性

N-Channel

功耗

400 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

36.0 A

输入电容值(Ciss)

8500pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

400000 mW

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IXTN36N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

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IXTN36N50 符合标准

IXTN36N50 概述

IXTN36N50 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.36 MByte

IXTN36N50 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.12 MByte

IXTN36 数据手册

IXTN36N50 数据手册

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