￥ 0.015

2N7002ET1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N7002ET1G 数据手册 (5 页)

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2N7002ET1G 数据手册 (5 页)

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2N7002ET1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.86 Ω

极性

N-Channel

功耗

420 mW

阈值电压

1 V

输入电容

26.7 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

310 mA

上升时间

1.2 ns

正向电压(Max)

1.2 V

输入电容值(Ciss)

26.7pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

下降时间

3.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

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2N7002ET1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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2N7002ET1G 符合标准

2N7002ET1G 海关信息

2N7002ET1G 概述