￥ 0.086

2N7002K-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

60V,0.3A,N沟道MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N7002K-T1-GE3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在6 页 7 页

2N7002K-T1-GE3 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

2N7002K-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2 Ω

极性

N-Channel

功耗

0.35 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

190 mA

输入电容值(Ciss)

30pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

350 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350mW (Ta)

查看数据手册 >

2N7002K-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.60 mm

高度

1.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

查看数据手册 >

2N7002K-T1-GE3 符合标准

2N7002K-T1-GE3 海关信息

2N7002K-T1-GE3 概述

2N7002K-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.2 MByte

2N7002K-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

10 页 / 0.2 MByte

2N7002KT1 数据手册

2N7002K-T1 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

2N7002K/T1 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY 2N7002K / T1 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V

2N7002K / T1 数据手册

Vishay Siliconix

2N7002K / T1 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

2N7002K-T1 数据手册

VISHAY（威世）

2N7002K/T1 数据手册

VISHAY（威世）

2N7002KT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR 2N7002KT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 380mA SOT-23

2N7002K-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

60V,0.3A,N沟道MOSFET

2N7002K-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

N沟道MOSFET 60V 300mA SOT-23 代码 7K 坚固

2N7002K-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号