Web Analytics
Datasheet 搜索 > Freescale(飞思卡尔) > 2N7002LT1 Datasheet 文档
2N7002LT1
0
2N7002LT1 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

2N7002LT1 数据手册

Freescale(飞思卡尔)
6 页 / 0.08 MByte

2N7002 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
CJ(长电科技)
N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
ON Semiconductor(安森美)
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  2N7002  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 60 V, 1.8 ohm, 10 V, 2.1 V
NXP(恩智浦)
2N7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 12W 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关
SLKOR(韩国萨科微)
2N7002 60V0.115A 编带
NTE Electronics
Diotec Semiconductor
N沟道 60V 280A
Panjit(强茂)
2n7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 S72 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: 2N7002 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z