Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRLML2803TRPBF Datasheet 文档
IRLML2803TRPBF
器件3D模型
0.053
IRLML2803TRPBF 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRLML2803TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
1.20 A
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
0.4 Ω
极性
N-Channel
功耗
540 W
零部件系列
IRLML2803
输入电容
85pF @25V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
1.20 A
输入电容值(Ciss)
85pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
540 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRLML2803TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRLML2803TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.24 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.25 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.18 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.21 MByte

IRLML2803 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) =仅为0.25mΩ ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML2803TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, Micro-3, 30V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
IRLML2803TR N沟道MOSFET 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 1B/B4/BB/BD/B6 低导通电阻
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z