器件3D模型

￥ 0.012

2N7002LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N7002LT1G 数据手册 (4 页)

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2N7002LT1G 数据手册 (4 页)

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2N7002LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

115 mA

封装

SOT-23-3

额定功率

0.225 W

无卤素状态

Halogen Free

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

7.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 mW

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

115 mA

正向电压(Max)

1.5 V

输入电容值(Ciss)

50pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

225 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

225mW (Ta)

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2N7002LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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2N7002LT1G 符合标准

2N7002LT1G 海关信息

2N7002LT1G 概述