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2N7002LT1H
0.036
2N7002LT1H 数据手册 (4 页)
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2N7002LT1H 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
极性
N-CH
功耗
0.3 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.115A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

2N7002LT1H 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

2N7002LT1H 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.64 MByte

2N7002LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
小信号N沟道SOT23封装场效应管
Motorola(摩托罗拉)
Micro Commercial Components(美微科)
Vishay Siliconix
Leshan Radio(乐山无线电)
Freescale(飞思卡尔)
National Semiconductor(美国国家半导体)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
ON Semiconductor(安森美)
Leshan Radio(乐山无线电)
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