Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor(安森美) > 2N7002WT1G Datasheet 文档
2N7002WT1G
器件3D模型
0.017
2N7002WT1G 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

2N7002WT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SC-70-3
无卤素状态
Halogen Free
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.6 Ω
极性
N-Channel
功耗
330 mW
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
340 mA
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
24.5pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
280 mW
下降时间
29 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
280 mW

2N7002WT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N7002WT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
28 页 / 2.95 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 2.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 1.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.06 MByte

2N7002WT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  2N7002WT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 340mA, SC-70, 整卷
Leshan Radio(乐山无线电)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: 2N7002 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z