￥ 0.246

NTZD3155CT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-563-6

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTZD3155CT1G 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 540 mA, 20 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTZD3155CT1G 数据手册 (8 页)

封装尺寸在8 页

NTZD3155CT1G 数据手册 (8 页)

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NTZD3155CT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电流

540 mA

封装

SOT-563-6

额定功率

0.25 W

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.4 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

250 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±6.00 V

连续漏极电流(Ids)

540 mA

输入电容值(Ciss)

150pF @16V(Vds)

额定功率(Max)

250 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

280 mW

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NTZD3155CT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.7 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTZD3155CT1G 符合标准

NTZD3155CT1G 海关信息

NTZD3155CT1G 概述