2N930

￥ 6.175

2N930 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-206

描述:

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N930 数据手册 (2 页)

2N930 数据手册 (2 页)

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2N930 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-206

功耗

0.3 W

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

最小电流放大倍数

100 @10µA, 5V

额定功率(Max)

300 mW

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

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2N930 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bag

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 200℃ (TJ)

查看数据手册 >

2N930 符合标准

2N930 数据手册

2N930 数据手册

Microsemi（美高森美）

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