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STP85N3LH5
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STP85N3LH5 数据手册 (16 页)
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STP85N3LH5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0046 Ω
极性
N-Channel
功耗
70 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
40.0 A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
1850pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
70 W
下降时间
10.8 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
70W (Tc)

STP85N3LH5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
175℃ (TJ)

STP85N3LH5 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.79 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.18 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte

STP85N3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V
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