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2SA1020G
0.054
2SA1020G 数据手册 (5 页)
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2SA1020G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-2.00 A
封装
TO-226-3
极性
PNP
功耗
0.9 W
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
70 @500mA, 2V
额定功率(Max)
900 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

2SA1020G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
长度
5.21 mm
宽度
4.19 mm
高度
7.87 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2SA1020G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.05 MByte

2SA1020 数据手册

CJ(长电科技)
2SA1020 120~240 袋装
ON Semiconductor(安森美)
一瓦高电流PNP晶体管电压和电流负PNP晶体管 One Watt High Current PNP Transistor VOLTAGE AND CURRENT ARE NEGATIVE FOR PNP TRANSISTORS
Toshiba(东芝)
UTC(友顺)
PNP外延 晶体管
Micro Commercial Components(美微科)
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
Luguang Electronic
Amphenol(安费诺)
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