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2SA1020-O(F,M)
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2SA1020-O(F,M) 数据手册 (5 页)
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2SA1020-O(F,M) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-226-3
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
70 @500mA, 2V
额定功率(Max)
900 mW
耗散功率(Max)
900 mW

2SA1020-O(F,M) 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Bulk
工作温度
150℃ (TJ)

2SA1020-O(F,M) 数据手册

Toshiba(东芝)
5 页 / 0.16 MByte

2SA1020 数据手册

CJ(长电科技)
2SA1020 120~240 袋装
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一瓦高电流PNP晶体管电压和电流负PNP晶体管 One Watt High Current PNP Transistor VOLTAGE AND CURRENT ARE NEGATIVE FOR PNP TRANSISTORS
Toshiba(东芝)
UTC(友顺)
PNP外延 晶体管
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Jiangsu Changjiang Electronics Technology
Luguang Electronic
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