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2SA1941-O(Q)
0.346
2SA1941-O(Q) 数据手册 (4 页)
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2SA1941-O(Q) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
30 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
额定功率
100 W
极性
PNP
功耗
100 W
击穿电压(集电极-发射极)
140 V
集电极最大允许电流
10A
最小电流放大倍数
35
最大电流放大倍数
83
额定功率(Max)
100 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
100000 mW

2SA1941-O(Q) 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon

2SA1941-O(Q) 数据手册

Toshiba(东芝)
4 页 / 0.15 MByte
Toshiba(东芝)
5 页 / 0.15 MByte

2SA1941 数据手册

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三极管(BJT) 2SA1941-O(Q) TO-3PN
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