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2SB1132T100P 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

MPT-3

描述:

中等功率晶体管（ -32V ，我?? -1A ） Medium Power Transistor (-32V,ï -1A)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SB1132T100P 数据手册 (5 页)

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2SB1132T100P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

-32.0 V

额定电流

-1.00 A

封装

MPT-3

极性

PNP

功耗

2000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

32 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

82 @100mA, 3V

最大电流放大倍数

390

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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2SB1132T100P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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2SB1132T100P 符合标准

2SB1132T100P 概述

2SB1132T100P 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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PNP三极管 -40V -1A 150MHz 120~270 -500mV SOT-89 代码 BAQ

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