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2SB1204T-E
0.429
2SB1204T-E 数据手册 (9 页)
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2SB1204T-E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
130 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-251-3
极性
PNP
功耗
1 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
200 @500mA, 2V
最大电流放大倍数
400
额定功率(Max)
1 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

2SB1204T-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

2SB1204T-E 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.36 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 3.63 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.47 MByte

2SB1204 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
Sanyo Semiconductor(三洋)
ON Semiconductor(安森美)
PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管 Bipolar Transistor
ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管 Bipolar Transistor
Sanyo Semiconductor(三洋)
2SB1204S PNP三极管 -60V -8A 130MHz 140~280 -500mV/-0.5V TO-252/DPAK marking/标记 B1204 高速逆变器/转换器
Sanyo Semiconductor(三洋)
Sanyo Semiconductor(三洋)
Sanyo Semiconductor(三洋)
2SB1204T PNP三极管 -60V -8A 130MHz 200~400 -500mV/-0.5V TO-252/DPAK marking/标记 B1204 高速逆变器/转换器
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