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2SB1386T100R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-89

描述:

ROHM 2SB1386T100R 单晶体管双极, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SB1386T100R 数据手册 (5 页)

封装尺寸在1 页

2SB1386T100R 数据手册 (5 页)

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2SB1386T100R 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-5.00 A

封装

SOT-89

额定功率

2 W

针脚数

3 Position

极性

PNP

功耗

500 mW

击穿电压(集电极-发射极)

20 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

180 @500mA, 2V

最大电流放大倍数

390

额定功率(Max)

2 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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2SB1386T100R 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

宽度

2.5 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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2SB1386T100R 符合标准

2SB1386T100R 海关信息

2SB1386T100R 概述

2SB1386T100R 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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2SB1386T100 数据手册

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ROHM 2SB1386T100R 单晶体管双极, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE

2SB1386T100Q 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM 2SB1386T100Q 单晶体管双极, 双路, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE

2SB1386 T100R 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

PNP三极管 -30V -5A 120MHz 180~390 -1000mV SOT-89 代码 BHR

2SB1386 T100Q 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

PNP三极管 -30V -5A 120MHz 120~270 -1000mV SOT-89 代码 BHQ

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