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2SC4083T106N
器件3D模型
0.026
2SC4083T106N 数据手册 (10 页)
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2SC4083T106N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
11.0 V
额定电流
50.0 mA
封装
SC-70-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
200 mW
集电极击穿电压
20.0 V
击穿电压(集电极-发射极)
11 V
集电极最大允许电流
0.05A
最小电流放大倍数
56 @5mA, 10V
最大电流放大倍数
180
额定功率(Max)
200 mW
直流电流增益(hFE)
56
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

2SC4083T106N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

2SC4083T106N 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
10 页 / 2.96 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 1.07 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

2SC4083T106 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SC4083T106N 编带
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 11V 50MA
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN三极管 20V 50mA 3.2GHz 82~180 500mV SOT-323 代码 IDP 高频放大器
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN三极管 20V 50mA 3.2GHz 56~120 500mV SOT-323 代码 IDN 高频放大器
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN三极管 20V 50mA 3.2GHz 120~270 500mV SOT-323 代码 IDQ 高频放大器
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