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器件3D模型
¥ 0.21
CSD87381P 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
PTAB-5
描述:
同步降压 NexFETTM 电源块,CSD87381P
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
CSD87381P 数据手册 (25 页)
引脚图
在
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封装尺寸
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在
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CSD87381P 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
封装
PTAB-5
功耗
4 W
漏源极电压(Vds)
30 V
输入电容值(Ciss)
564pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
4 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
4000 mW
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CSD87381P 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
CSD87381P 符合标准
CSD87381P 海关信息
CSD87381P 概述
●
此 CSD87381P NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计,能够在 3mm × 2.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,这款产品可提供高效且灵活的解决方案,在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动器配套使用时,可提供一个高密度电源。
●
半桥电源块
●
10A 电流下的系统效率达 90%
●
工作电流高达 15A
●
高密度 - 3mm × 2.5mm 接合栅格阵列封装 (LGA) 尺寸
●
双侧冷却能力
●
超薄 - 最大厚度为 0.48mm
●
针对 5V 栅极驱动进行了优化
●
低开关损耗
●
低电感封装
●
符合 RoHS 环保标准
●
无卤素
●
无铅
●
## 应用范围
●
同步降压转换器
●
高电流、低占空比应用
●
多相位同步降压转换器
●
负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
●
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CSD87381P
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CSD87381
PT
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TI(德州仪器)
Power MOSFET Modules, Texas Instruments半桥 NexFET 电源块 ### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
CSD87381
P
数据手册
TI(德州仪器)
同步降压 NexFETTM 电源块,CSD87381P
CSD87381
PEVM-603
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