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2SC5198-R(Q)
1.367
2SC5198-R(Q) 数据手册 (10 页)
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2SC5198-R(Q) 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
140 V
集电极最大允许电流
10A

2SC5198-R(Q) 数据手册

Toshiba(东芝)
10 页 / 2.04 MByte
Toshiba(东芝)
4 页 / 0.12 MByte

2SC5198 数据手册

Toshiba(东芝)
Inchange Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VCEO 140V Ic 10A PC 100W
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