2SC5706 数据手册 - Sanyo Semiconductor（三洋）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 400MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~560 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 90mV 耗散功率PcPower Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High Current Switching Applications Applications • DC-DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. Features • Adoption of FBET, MBIT process. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. 描述与应用| NPN平面外延硅晶体管 高电流开关应用 应用 •DC-DC转换器，继电器驱动器，灯驱动器， 电机驱动器，闪光灯。 特点 •通过FBET，MBIT过程。 •大电流容量。 •低集电极 - 发射极饱和电压。 •高速开关。 •高允许功耗。