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2SD1207-S
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2SD1207-S 数据手册 (5 页)
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2SD1207-S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
135AB
极性
NPN
功耗
1000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
2A
耗散功率(Max)
1000 mW

2SD1207-S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃

2SD1207-S 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.16 MByte

2SD1207 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
Sanyo Semiconductor(三洋)
ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
ON Semiconductor(安森美)
PNP / NPN外延平面硅晶体管 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
ON Semiconductor(安森美)
大电流的开关应用 Large-Current Switching Applications
ON Semiconductor(安森美)
Sanyo Semiconductor(三洋)
ON Semiconductor(安森美)
Toshiba(东芝)
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