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2SD1805G-TL-E
0.23
2SD1805G-TL-E 数据手册 (9 页)
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2SD1805G-TL-E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
120 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
N-Channel, NPN
功耗
1 W
增益频宽积
120 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
20 V
集电极最大允许电流
5A
最小电流放大倍数
280 @500mA, 2V
最大电流放大倍数
560
额定功率(Max)
1 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

2SD1805G-TL-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.5 mm
宽度
5.5 mm
高度
2.3 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SD1805G-TL-E 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.39 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.49 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte

2SD1805 数据手册

Sanyo Semiconductor(三洋)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
2SD1805: 双极晶体管,20V,5A, 低饱和压,NPN 单 TP/TP-FA
ON Semiconductor(安森美)
通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
Sanyo Semiconductor(三洋)
Sanyo Semiconductor(三洋)
2SD1805G NPN三极管 60V 5A 120MHz 280~560 220mV/0.22V TO-252/DPAK marking/标记 D1805 高电流开关 高速逆变器 转换器
Sanyo Semiconductor(三洋)
Sanyo Semiconductor(三洋)
2SD1805F NPN三极管 60V 5A 120MHz 160~320 220mV/0.22V TO-252/DPAK marking/标记 D1805 高电流开关 高速逆变器 转换器
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