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NTHD3101FT1G
0.043
NTHD3101FT1G 数据手册 (7 页)
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NTHD3101FT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-3.20 A
封装
SMD-8
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.064 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2.1 W
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
4.40 A
上升时间
11.7 ns
输入电容值(Ciss)
680pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1.1 W
下降时间
12.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.1W (Ta)

NTHD3101FT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
宽度
1.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTHD3101FT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

NTHD3101FT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET和肖特基二极管 Power MOSFET and Schottky Diode
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTHD3101FT1G  晶体管, MOSFET, 肖特基二极管, P沟道, -3.2 A, -20 V, 0.064 ohm, -4.5 V, -1.5 V 新
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