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2SD1918TLQ
0.215
2SD1918TLQ 数据手册 (9 页)
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2SD1918TLQ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
80 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
160 V
额定电流
1.50 A
封装
TO-252-3
极性
N-Channel, NPN
功耗
1 W
增益频宽积
80 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
160 V
集电极最大允许电流
1.5A
最小电流放大倍数
120
最大电流放大倍数
120 @0.1A, 5V
额定功率(Max)
10 W
直流电流增益(hFE)
120
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

2SD1918TLQ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
5.8 mm
高度
2.5 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SD1918TLQ 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 1.08 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 0.36 MByte

2SD1918 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
功率晶体管( 160V , 1.5A ) Power Transistor (160V , 1.5A)
TY Semiconductor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SD1918TLQ NPN三极管 160V 1.5A 80MHz 120~390 2V TO-252/CPT3 marking/标记 D1918 功率晶体管
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