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器件3D模型
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SN74LVC1G07DBVR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
逻辑控制器
封装:
SOT-23-5
描述:
TEXAS INSTRUMENTS SN74LVC1G07DBVR. 芯片, 缓冲器 非反相, SOT-23-5, 整卷
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
SN74LVC1G07DBVR 数据手册 (38 页)
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SN74LVC1G07DBVR 数据手册
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SN74LVC1G07DBVR 数据手册 (38 页)
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SN74LVC1G07DBVR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
电源电压
5.00 V, 5.50 V (max)
封装
SOT-23-5
输出接口数
1 Output
供电电流
40.0 mA
通道数
1 Channel
针脚数
5 Position
位数
1 Bit
传送延迟时间
3.50 ns
电压波节
5.00 V
逻辑门数量
1 Gate
输入数
1 Input
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
1.65V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
1.65 V
查看数据手册 >
SN74LVC1G07DBVR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.05 mm
宽度
1.75 mm
高度
1.3 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)
查看数据手册 >
SN74LVC1G07DBVR 符合标准
SN74LVC1G07DBVR 海关信息
SN74LVC1G07DBVR 概述
●
74LVC1G 系列,Texas Instruments
●
低电压 CMOS 逻辑
●
单门封装
●
工作电压:1.65 至 5.5 V
●
兼容性:输入 LVTTL/TTL,输出 LVCMOS
●
按照 JESD 78 II 类标准,闩锁效应性能超过 100 mA
●
ESD 保护超过 JESD 22
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SN74LVC1G07DBVR 数据手册
SN74LVC1G07DBVR
数据手册
TI(德州仪器)
38 页 / 1.74 MByte
SN74LVC1G07DBVR
其他数据使用手册
TI(德州仪器)
19 页 / 0.57 MByte
SN74LVC1G07DBVR
产品修订记录
TI(德州仪器)
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SN74LVC1G07
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TEXAS INSTRUMENTS SN74LVC1G07DCKR. 芯片, 非反相缓冲器, 漏极开路, SC-70-5
SN74LVC1G07
DBVR
数据手册
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TEXAS INSTRUMENTS SN74LVC1G07DBVR. 芯片, 缓冲器 非反相, SOT-23-5, 整卷
SN74LVC1G07
DBVT
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS SN74LVC1G07DBVT 单路缓冲器 / 驱动器, 非反相, 开漏输出, 1.65V至5.5V, SOT-23-5
SN74LVC1G07
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TEXAS INSTRUMENTS SN74LVC1G07DRLR. 芯片, 非反相缓冲器, SOT-553-5
SN74LVC1G07
DSFR
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TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
SN74LVC1G07
DCKT
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS SN74LVC1G07DCKT 单路缓冲器 / 驱动器, 非反相, 开漏输出, 1.65V至5.5V, SC-70-5
SN74LVC1G07
MDCKREP
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS SN74LVC1G07MDCKREP 芯片, 缓冲器/驱动器, 非反相, 1路输出, SC-70-5
SN74LVC1G07
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单缓冲器/驱动器,具有漏极开路输出 SINGLE BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT
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单缓冲器/驱动器,具有漏极开路输出 SINGLE BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT
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单缓冲器/驱动器,具有漏极开路输出 SINGLE BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT
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