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2SD2150T100R
0.081
2SD2150T100R 数据手册 (3 页)
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2SD2150T100R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
3.00 A
封装
TO-243
极性
N-Channel, NPN
功耗
0.5 W
增益频宽积
290 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
20 V
集电极最大允许电流
3A
最小电流放大倍数
180 @100mA, 2V
最大电流放大倍数
560
额定功率(Max)
500 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

2SD2150T100R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.5 mm
宽度
2.5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SD2150T100R 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.1 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
20 页 / 0.13 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

2SD2150T100 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SD2150 系列 20 V 3 A 表面贴装 NPN 低频 晶体管 -SC-62
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
低频晶体管( 20V , 3A ) Low Frequency Transistor (20V, 3A)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
应用低频晶体管特点*低VCE(SAT)。* VCE(饱和)=0.2V(IC / IB=2A/0.1A)*优秀的电流增益特性。*外延平面型硅NPN晶体管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
应用低频晶体管特点*低VCE(SAT)。* VCE(饱和)=0.2V(IC / IB=2A/0.1A)*优秀的电流增益特性。*外延平面型硅NPN晶体管
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