￥ 1.257

2SK2225-E 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SK2225-E 数据手册 (9 页)

封装尺寸在6 页

2SK2225-E 数据手册 (9 页)

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2SK2225-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

功耗

50W (Tc)

漏源极电压(Vds)

1500 V

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

984.7pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50W (Tc)

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2SK2225-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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2SK2225-E 符合标准

2SK2225-E 海关信息

2SK2225-E 概述

2SK2225-E 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

9 页 / 0.08 MByte

2SK2225-E 其他数据使用手册

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7 页 / 0.24 MByte

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