￥ 0.041

BSS138L 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

功率MOSFET 200毫安， 50 V Power MOSFET 200 mA, 50 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSS138L 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

典型应用电路图在1 页

BSS138L 数据手册 (5 页)

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BSS138L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.78 Ω

极性

N-CH

功耗

0.225 W

阈值电压

1.25 V

输入电容

12.2 pF

漏源极电压(Vds)

50 V

连续漏极电流(Ids)

0.2A

上升时间

1.8 ns

输入电容值(Ciss)

50pF @25V(Vds)

下降时间

5.1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350mW (Ta)

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BSS138L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

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BSS138L 符合标准

BSS138L 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.06 MByte

BSS138L 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.28 MByte

BSS138 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿

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Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS138 晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V

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CJ（长电科技）

N沟道,50V,0.22A,3.5Ω@10V

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SLKOR（韩国萨科微）

类型：N沟道连续漏极电流（Id）（25°C 时）：220mA 漏源电压（Vdss）：50V 导通电阻：3.5Ω 功率（Ta=25°C）：400mW

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Good-Ark Electronics（固锝）

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Zetex

BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS

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Infineon（英飞凌）

BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS

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Vishay Semiconductor（威世）

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Siemens Semiconductor（西门子）

BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 J1

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National Semiconductor（美国国家半导体）

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