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2SK3019TL
0.022
2SK3019TL 数据手册 (4 页)
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2SK3019TL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
13 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 mW
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
100 mA
上升时间
35 ns
输入电容值(Ciss)
13pF @5V(Vds)
额定功率(Max)
150 mW
下降时间
80 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
150mW (Ta)

2SK3019TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
1.6 mm
宽度
0.8 mm
高度
0.7 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SK3019TL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.07 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.08 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
25 页 / 0.72 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.09 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

2SK3019 数据手册

CJ(长电科技)
N沟道 30V 100mA
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SK3019 N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-523/SC-75/EMT3 marking/标记 KN 低导通电阻/高速度开关/低电压驱动
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  2SK3019TL  晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V
Micro Commercial Components(美微科)
CJ(长电科技)
MOS场效应管 2SK3019 KN SC-89(SOT-523) N沟道,30V,100mA,8Ω@4V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
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