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Datasheet 搜索 > 模拟开关芯片 > ADI(亚德诺) > ADG1204YRUZ Datasheet 文档
ADG1204YRUZ
器件3D模型
5.797
ADG1204YRUZ 数据手册 (16 页)
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ADG1204YRUZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
电源电压
12.0V (max)
封装
TSSOP-14
输出接口数
1 Output
触点类型
4PST
供电电流
170 µA
电路数
1 Circuit
通道数
4 Channel
针脚数
14 Position
漏源极电阻
120 Ω
功耗
1.3 mW
带宽
800 MHz
输入数
4 Input
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
3dB带宽
800 MHz
电源电压(Min)
15 V

ADG1204YRUZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4.4 mm
高度
1 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

ADG1204YRUZ 数据手册

ADI(亚德诺)
16 页 / 0.38 MByte
ADI(亚德诺)
17 页 / 0.44 MByte
ADI(亚德诺)
4 页 / 0.2 MByte
ADI(亚德诺)
1 页 / 0.14 MByte

ADG1204 数据手册

ADI(亚德诺)
2 pF的关断电容, 1 pC的电荷注入, ±15 V / 12 V 4 : 1的iCMOS多路复用器 2 pF Off Capacitance, 1 pC Charge Injection, +-15 V/12 V 4:1 iCMOS Multiplexer
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADG1204YRUZ  芯片, 多路复用器 4:1
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADG1204YCPZ-500RL7.  芯片, 模拟多路复用器, 4X1, LFCSP-12
ADI(亚德诺)
低电容,低电荷注入,A ±15 V / 12 V , 4 : 1的iCMOS多路复用器 Low Capacitance, Low Charge Injection, ±15 V/12 V, 4:1 iCMOS Multiplexer
ADI(亚德诺)
低电容,低电荷注入,A ±15 V / 12 V , 4 : 1的iCMOS多路复用器 Low Capacitance, Low Charge Injection, ±15 V/12 V, 4:1 iCMOS Multiplexer
ADI(亚德诺)
低电容,低电荷注入,A ±15 V / 12 V , 4 : 1的iCMOS多路复用器 Low Capacitance, Low Charge Injection, ±15 V/12 V, 4:1 iCMOS Multiplexer
ADI(亚德诺)
ADI(亚德诺)
2 pF的关断电容, 1 pC的电荷注入, ±15 V / 12 V 4 : 1的iCMOS多路复用器 2 pF Off Capacitance, 1 pC Charge Injection, +-15 V/12 V 4:1 iCMOS Multiplexer
ADI(亚德诺)
2 pF的关断电容, 1 pC的电荷注入, ±15 V / 12 V 4 : 1的iCMOS多路复用器 2 pF Off Capacitance, 1 pC Charge Injection, +-15 V/12 V 4:1 iCMOS Multiplexer
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