器件3D模型

￥ 0.01

ADR421ARZ 数据手册 - ADI（亚德诺）

制造商:

ADI（亚德诺）

分类:

电压基准芯片

封装:

SOIC-8

描述:

ANALOG DEVICES ADR421ARZ 电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR421系列, 2.5V, NSOIC-8

Pictures:

3D模型

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焊盘图

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ADR421ARZ 数据手册 (25 页)

引脚图在1 页 9 页Hot

封装尺寸在22 页

原理图在17 页

ADR421ARZ 数据手册 (25 页)

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ADR421ARZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电流

10.0 mA

容差

±0.12 %

封装

SOIC-8

输入电压(DC)

4.50V ~ 18.0V

输出电压

2.5 V

输出电流

10 mA

供电电流

600 μA

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

输入电压(Max)

18 V

输入电压(Min)

4.5 V

输出电压(Max)

2.503 V

输出电压(Min)

2.5 V

输出电流(Max)

10 mA

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

工作结温(Max)

125 ℃

输入电压

4.5V ~ 18V

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ADR421ARZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数

±10 ppm/℃

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ADR421ARZ 符合标准

ADR421ARZ 海关信息

ADR421ARZ 概述

ADR421ARZ 数据手册

ADI（亚德诺）

25 页 / 0.48 MByte

ADR421ARZ 产品设计参考手册

ADI（亚德诺）

24 页 / 0.44 MByte

ADR421ARZ 其他数据使用手册

ADI（亚德诺）

25 页 / 0.48 MByte

ADR421ARZ 产品手册

ADI（亚德诺）

16 页 / 0.21 MByte

ADR421 数据手册

ADI（亚德诺）

超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

ADR421ARZ 数据手册

ADI（亚德诺）

ANALOG DEVICES ADR421ARZ 电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR421系列, 2.5V, NSOIC-8

ADR421BRZ 数据手册

ADI（亚德诺）

超精密，低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFETÂ®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFETÂ® Voltage References

ADR421ARMZ 数据手册

ADI（亚德诺）

ANALOG DEVICES ADR421ARMZ 电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR421系列, 2.5V, MSOP-8

ADR421BRZ-REEL7 数据手册

ADI（亚德诺）

2.5V，Analog Devices### 电压参考，Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑，并提供通孔和表面安装封装。电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。

ADR421ARZ-REEL7 数据手册

ADI（亚德诺）

超精密，低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFETÂ®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFETÂ® Voltage References

ADR421BR 数据手册

ADI（亚德诺）

超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

ADR421ARMZ-REEL7 数据手册

ADI（亚德诺）

ADR421AR 数据手册

ADI（亚德诺）

超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

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