器件3D模型

￥ 14.801

ADR433ARMZ 数据手册 - ADI（亚德诺）

制造商:

ADI（亚德诺）

分类:

电压基准芯片

封装:

MSOP-8

描述:

3.0V 至 4.5V，Analog Devices### 电压参考，Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑，并提供通孔和表面安装封装。电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ADR433ARMZ 数据手册 (24 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在22 页

原理图在16 页

ADR433ARMZ 数据手册 (24 页)

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ADR433ARMZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

容差

±0.13 %

封装

MSOP-8

输入电压(DC)

18.0V (max)

输出电压

3 V

输出电流

30 mA

供电电流

800 µA

通道数

1 Channel

输入电压(Max)

20 V

输出电压(Max)

3 V

输出电压(Min)

3 V

输出电流(Max)

30 mA

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

精度

±0.13 %

额定电压

3 V

输入电压

5V ~ 18V

查看数据手册 >

ADR433ARMZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

3 mm

宽度

3 mm

高度

0.85 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数

±10 ppm/℃

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ADR433ARMZ 符合标准

ADR433ARMZ 海关信息

ADR433ARMZ 概述

ADR433ARMZ 数据手册

ADI（亚德诺）

24 页 / 1.48 MByte

ADR433ARMZ 产品设计参考手册

ADI（亚德诺）

24 页 / 1.06 MByte

ADR433ARMZ 产品修订记录

ADI（亚德诺）

5 页 / 0.07 MByte

ADR433 数据手册

ADI（亚德诺）

超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

ADR433ARMZ 数据手册

ADI（亚德诺）

ADR433BRZ 数据手册

ADI（亚德诺）

ANALOG DEVICES ADR433BRZ 电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR433系列, 3V, NSOIC-8

ADR433ARZ 数据手册

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ADR433ARMZ-REEL7 数据手册

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超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

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超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

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