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ADR434ARMZ
器件3D模型
2.746
ADR434ARMZ 数据手册 (24 页)
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ADR434ARMZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±0.12 %
封装
MSOP-8
输入电压(DC)
6.10V ~ 18.0V
输出电压
4.096 V
输出电流
30 mA
供电电流
800 µA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
输入电压(Max)
20 V
输入电压(Min)
6.1 V
输出电压(Max)
4.101 V
输出电压(Min)
4.096 V
输出电流(Max)
30 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
精度
±0.12 %
输入电压
6.1V ~ 18V

ADR434ARMZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
3.2 mm
宽度
3.2 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
温度系数
±2 ppm/℃

ADR434ARMZ 数据手册

ADI(亚德诺)
24 页 / 0.9 MByte
ADI(亚德诺)
24 页 / 1.06 MByte
ADI(亚德诺)
4 页 / 0.2 MByte
ADI(亚德诺)
5 页 / 0.07 MByte

ADR434 数据手册

ADI(亚德诺)
超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
ADI(亚德诺)
3.0V 至 4.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
3.0V 至 4.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
3.0V 至 4.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR434TRZ-EP  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR434-EP系列, 4.096V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
串联 10mA
ADI(亚德诺)
超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
ADI(亚德诺)
超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
ADI(亚德诺)
超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
ADI(亚德诺)
超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
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